поверхность раздела металл-полупроводник

поверхность раздела металл-полупроводник
skiriamasis metalo ir puslaidininkio paviršius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal-semiconductor interface vok. Metall-Halbleiter-Grenzschicht, f rus. поверхность раздела металл-полупроводник, f pranc. interface métal-semi-conducteur, f

Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. . 2000.

Игры ⚽ Поможем решить контрольную работу

Look at other dictionaries:

  • ПОВЕРХНОСТЬ — граница разделамежду двумя контактирующими средами. В разл. ситуациях употребляются такжетермины: свободная, или атом но чистая, П. (П. твёрдого тела в вакууме …   Физическая энциклопедия

  • Metall-Halbleiter-Grenzschicht — skiriamasis metalo ir puslaidininkio paviršius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal semiconductor interface vok. Metall Halbleiter Grenzschicht, f rus. поверхность раздела металл полупроводник, f pranc. interface métal semi …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • interface métal-semi-conducteur — skiriamasis metalo ir puslaidininkio paviršius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal semiconductor interface vok. Metall Halbleiter Grenzschicht, f rus. поверхность раздела металл полупроводник, f pranc. interface métal semi …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • metal-semiconductor interface — skiriamasis metalo ir puslaidininkio paviršius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal semiconductor interface vok. Metall Halbleiter Grenzschicht, f rus. поверхность раздела металл полупроводник, f pranc. interface métal semi …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • skiriamasis metalo ir puslaidininkio paviršius — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal semiconductor interface vok. Metall Halbleiter Grenzschicht, f rus. поверхность раздела металл полупроводник, f pranc. interface métal semi conducteur, f …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР — транзистор, в к ром управление протекающим через него током осуществляется электрич. полем, перпендикулярным направлению тока. Принцип работы П. т., сформулированный в 1920 х гг., поясняется на рис. 1. Тонкая пластинка полупроводника (канал)… …   Физическая энциклопедия

  • Омический контакт — контакт между металлом и полупроводником или двумя полупроводниками, характеризующийся линейной симметричной вольт амперной характеристикой (ВАХ). Если ВАХ является асимметричной и нелинейной, контакт является не омическим а выпрямляющим,… …   Википедия

  • Эффект поля — в МОП структуре Эффект поля (англ. Field effect) в широком смысле состоит в управлении эле …   Википедия

  • СССР. Естественные науки —         Математика          Научные исследования в области математики начали проводиться в России с 18 в., когда членами Петербургской АН стали Л. Эйлер, Д. Бернулли и другие западноевропейские учёные. По замыслу Петра I академики иностранцы… …   Большая советская энциклопедия

  • СВЕТОДИОД — (светоизлучающий диод), полупроводниковый прибор, преобразующий электрич. энергию в энергию оптич. излучения на основе явления инжекционной электролюминесценции, происходящей в ПП кристалле с электронно дырочным переходом или гетеропереходом либо …   Физическая энциклопедия

Share the article and excerpts

Direct link
Do a right-click on the link above
and select “Copy Link”